株式会社ＣＵＳＩＣ

基本情報

法人番号

1370001025074

法人名称/商号

株式会社ＣＵＳＩＣ

法人名称/商号（カナ）

キューズィック

法人名称/商号（英語）

-

所在地

〒9800021
宮城県仙台市青葉区中央２丁目２番１０号

代表者

-

資本金

-

従業員数

-

営業品目

-

事業概要

-

設立年月日

-

創業年

-

データ最終更新日

2020年03月17日

特許情報

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/02
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/02 B
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/02 C
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/20
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/265
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/265 Q
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015179290

  2015年09月11日

  特許分類

  H01L 21/265 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  C23C 16/42
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/02
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/02 B
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/20
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/265
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/265 Q
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015180637

  2015年09月14日

  特許分類

  H01L 21/265 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F152

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/02
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/02 B
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/02 C
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/20
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/265
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/265 Q
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181908

  2015年09月15日

  特許分類

  H01L 21/265 Z
  基本的電気素子

  テーマコード

  5F117

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C23C 16/01
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C23C 16/32
  金属質材料への被覆; 金属質材料による材料への被覆; 化学的表面処理; 金属質材料の拡散処理; 真空蒸着, スパッタリング, イオン注入法, または化学蒸着による被覆一般; 金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C30B 25/18
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C30B 29/36
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C30B 29/36 A
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法

• 特許　2015181937

  2015年09月15日

  特許分類

  C30B 33/06
  結晶成長

  テーマコード

  4G077

  発明の名称

  ＳｉＣ複合基板の製造方法